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用語 解説
ISFET Ion Sensitive Field Effect Transistorの略語。イオン選択制電極と電界効果型トランジスタ(FET)を一体化した半導体センサ。
ICP Inductively Coupled Plasmaの頭文字。誘導結合により発生された高密度プラズマ。
ICプロセス 半導体集積回路を製作するための一連の工程。
一般に、回路設計、パターンレイアウト、マスク製作、ウエハプロセス、ウエハ試験、組立、信頼性試験等の多くの工程から成り立っている。
アクチュエータ 電気的エネルギー又は非力学的運動エネルギーを力学的運動エネルギーに変換して,機械的仕事を行う機械要素。
アスペクト比 立体形状の垂直(高さ):水平(幅)の寸法比で、構造物の相対的な厚みを示す指標。
圧電アクチュエータ 圧電アクチュエータは、単板形、バイモルフ形および積層形に分類され、圧電材料としてはチタン酸ジルコン酸鉛が一般的に用いられる。
圧電効果 機械的応力を受けて歪みを生ずると誘電分極により電界を発生する効果。
圧電材料 電場をかけると歪みを生じる、いわゆる圧電効果をもつ材料。
圧電素子 圧電材料を用いた機能素子。
圧電リニアアクチュエータ 圧電素子を利用して直線運動を発生するアクチュエータ。
圧膜技術 基板上に厚膜を形成する技術。
厚膜とは、インク状ペーストなどを塗布、スプレー印刷などで塗り、焼きつける方法で作製した、およそ5μm以上の膜を指す。
圧力センサ 流体の圧力を測定するためのセンサ。
一般的に、圧力センサはシリコン微細加工技術、特に異方性エッチングを用いて受圧ダイヤフラムを加工し、さらにひずみゲージを基板上に集積化した構成である。
反応性イオンエッチング(RIE) 反応性ガスによるエッチング作用とイオンのスパッタ作用を複合させた加工法。
RF MEMS 高周波無線通信分野へ応用したMEMS。
EPMA Electron Probe (X-ray) Microanalysisの略語。 電子線、X線を利用して固体表面の形状の観察と、組成元素の定量分析を行うための方法。
EWOD 誘電体膜で覆われた基板と液滴との間に電位差を与えることで制御された表面の濡れ。
イオン注入 加速イオンの照射によって、材料内に不純物層を形成する技術。
イオンビームアシスト加工 イオンビーム加工の一種で、加工の際に反応室にエッチング用の活性ガスを導入して加工する技術。
イオンビーム加工 加速されたイオンビームによるスパッタリング作用によって加工する技術。
イオンプレーティング 蒸発粒子の一部をプラズマ化し、イオンや励起粒子に変化させ、電界により運動エネルギーを付加して基板に蒸着する技術。
異方性エッチング 結晶方位やエネルギービームの方向によって、エッチング速度が異なるエッチングプロセス。
イメージガイド 画像を伝達するための光ファイバ。
イメージガイドを用いると、狭あい部を通して、直接観察ができない部分を観察することができる。
ウェットエッチング 反応性の薬液を用いた、液相でのエッチング加工技術。
ウェハレベルパッケージング ウェハの切断前にパッケージジングを終了させるプロセス。
ATP(アデノシン三リン酸) Adenosine triphosphate(アデノシン三リン酸、C10H16N5O13P3)の略語。 塩基であるアデニンに五単糖であるリボースが結合したリボヌクレオシドの一つがアデノシンである。このアデノシンに、さらにリン酸が3分子連続して結合したものがATPである。
ALD(原子層推積プロセス) 導波路を通して,試料に極めて近接したところから電磁波及び超音波の放射強度を計測し,この導波路先端をラスタ走査することで分解能の高い画像情報を得る顕微鏡。
AFM(原子間力顕微鏡) 片持ちはりを走査する間に片持ちはりに作り込んだ探針と試料との間の原子間力によって起こされた片持ちはりの変位を検出することによって,微視的な形状を測定する顕微鏡。
SAB 基板表面にイオンビーム,プラズマなどを照射して表面エネルギーを増加させることによって,基板同士を直接接合するプロセス。
SOI 絶縁体と、その上に形成されたシリコンの薄膜によって構成された構造体。
STS Scanning Tunneling Spectroscopyの略語。走査トンネル分光法。走査トンネル顕微鏡の走査探針の先端と試料面の間に流れるトンネル電流の特性から表面の電子状態を調べる方法。
STM加工 走査トンネル顕微鏡(STM)を利用し、原子分子レベルの表面加工(アトミックマニピュレーション)を行う加工。
X線リソグラフィ X線を利用して微細パターンを基板に転写する技術。
エッチストップ 非常に低いエッチング速度の層を形成することによってマイクロマシニングで使用されているエッチングプロセスを停止させる技術。
エッチングプロセス 化学的腐食作用を利用した除去加工技術。
エッチングには等方性エッチングと異方性エッチングがあり、気相あるいは液相中の腐食性雰囲気の中で加工対象材料の除去を行う。
エネルギー源 エネルギーを供給する物質またはデバイス。
エネルギーハーベスティング 外部環境から電気エネルギーを引き出し蓄積デバイスに蓄える技術。
エネルギー変換機構 エネルギーをある形から別の形に変えるための機構。
エネルギー密度 単位体積あたりに蓄えられたエネルギー。エネルギー供給能力を評価する指標の一つである。 エネルギー密度が大きいほど小さな体積で、大きなエネルギーを供給できる。
エピタキシー 基板の結晶構造に合わせて単結晶膜を成長させる技術。
MEMS 微小な電気機械システムで、半導体プロセスを用いて一つのチップ上にセンサ、アクチュエータ、電子回路などのすべて、又は一部を統合化したもの。
MOEMS 光学分野へ応用したMEMS。
MST Micro System Technologies の略で、マイクロシステムに関する技術の総称。
FIB 集束された加速イオンのスパッタ作用により材料表面の微視的な除去を行う加工法。
オートアセンブル 自律的なメカニズムによって部品が完成品に組み立つこと。
音起電力素子 音波からの振動エネルギーを電気エネルギーに変換する素子。

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